TIG111BF

功能描述:IGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING

RoHS:

制造商:Fairchild Semiconductor

配置:

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.3 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:187 W

最大工作温度:

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • TIG111BF
  • 10000
  •  
  • 2018+
  • TO-220
  • 原装正品 
  • 立即询价
  • TIG111BF
  • 84900
  • ON Semiconductor
  • 20+
  • TO-220FI(LS)
  • 进口现货 
  • 立即询价
  • TIG111BF
  • 9600
  • ON Semiconductor██
  • ██1809+█正品
  • TO-220FI(LS)
  • 一级分销商,支持原厂订货,优势热卖███ 
  • 立即询价
  • TIG111BF
  • 11846
  • ON
  • 1818+
  • TO-220FI(LS)
  • 一级代理商现货批发 
  • 立即询价
  • TIG111BF
  •  
  • 授权代理商现货、期货批发
  • 1818+
  • TO-220FI(LS)
  •  
  • 立即询价
  • TIG111BF
  • 42500
  • ON Semiconductor
  • 19+
  • TO-220FI(LS)
  • 深圳仓现货,欢迎询价! 
  • 立即询价
  • TIG111BF
  • 50000
  • ON Semiconductor
  • 17+
  • TO-220FI
  • 全新原装现货 
  • 立即询价
  • TIG111BF
  • 40000
  • 代理现货,可申请特价!
  • 18+
  • NEW
  • 代理现货,可申请特价! 
  • 立即询价
  • TIG111BF
  • 8500
  • ON Semiconductor
  • 19+
  • to-220-3
  • 诚信经营,长远共赢!原装正品优势库存和短期订货! 
  • 立即询价